
產品描述
SE206是半橋壓阻式傳感器芯片,具有高達150 的靈敏系數,是專門為低至幾十個微應變的微小應變測量而設計的。其典型應用是把兩個 SE206 粘貼在由不銹鋼或陶瓷制成的圓形壓力膜片上,形成惠斯登電橋來測量壓力。粘貼此傳感器芯片的典型方法是通過玻璃微熔工藝把芯片燒結在膜片上。
SE206 傳感器芯片的兩個壓阻式電阻相互串聯,類似于 BCM的金屬箔應變計GB(BL)的結構。因此,該傳感器芯片還可用于測量力,例如,通過把其粘合在反向彎曲梁上用來測量壓縮力或拉伸力。
由于此傳感器芯片是基于MEMS 工藝制造而成,SE206傳感器芯片尺寸小 (1.5mm x 0.5mm),可實現大批量生產。
包裝前,每個 SE206 傳感器芯片都經過單獨測試并符合其規格。
技術參數
| 參數名稱 | 單位 | 技術指標 | 注釋 | |
| 測量應變范圍 | με | 15~500 | | |
| 工作應變 | %fs | 150 | 1 | |
| 應變極限 | %fs | 200 | 1 | |
| 電阻值 | KΩ | 4±1 | ||
| 兩個電阻間的阻值差 | %R | ≤±1.5 | ||
| 靈敏系數(GF) | | 150 | ||
| 激勵 | 電壓 | Vdc | 5(典型值),或 2,...10Vdc范圍內的任何電壓值 | |
| 電流 | mA | 1(典型值),或 0.5,...2.5mA范圍內的任何電流值 | ||
| 零點輸出 | mV/V | ≤±15 | ||
| 非線性誤差(NL) | %fs | ≤±0.5 | 2 & 3 | |
| 遲滯性誤差(HY) | %fs | ≤±0.2 | ||
| 重復性誤差(RP) | %fs | ≤±0.2 | ||
| 長期穩定性 | %fs/年 | ≤±0.2 | ||
| 儲存溫度范圍 | °C | -40~ +150 | ||
| 工作溫度范圍 | °C | -40~ +150 | ||
| 橋阻溫漂系數 | %R/°C | ≤0.35 | 4 | |
| 零點溫漂系數 | %fso/°C | ≤±0.5 | 5 | |
| 靈敏度溫漂系數 | %fso/°C | ≤|-0.4| | 5 | |
| 零點熱遲滯 | %fso/°C | ≤±0.3 | | |
| 電氣接口 | | 裸焊盤 | | |
| 尺寸 | mm | 1.6x0.5x0.01 | | |
測量的一般條件:溫度=25°C,濕度=40%RH。
1. fs指應變的滿量程。
2. 在15~500με范圍內的應變條件下進行測試。
3. 根據終端基線計算(端終點法)。
4. 以25℃時的阻值為參考,根據計算-40°C到+150°C之間的電阻變化率,并按25°C時的電阻歸一化。
5. 以25℃時的輸出為參考,計算根據-40°C到+150°C之間的輸出變化率,并按25°C時的輸出歸一化,此時芯片沒有做溫度補償。


















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