美國Neocera PLD 脈沖激光沉積系統 P180 & PED 脈沖電子束沉積系統 PED-180
Neocera P180 脈沖激光沉積系統
• Neocera 在 PLD 設備與工藝開發方面具有不可超越的經驗
• Pioneer 系列 PLD 系統是研發領域廣泛使用的商業化系統
• Neocera 不僅為客戶提供最基本的 PLD 系統，也提供完整的PLD 實驗室交鑰匙方案
PLD 實驗室交鑰匙方案 脈沖激光沉積系統（PLD）
一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結構和納米粒子合成的方法
PLD 是一種復雜材料沉積的有效方法
脈沖激光沉積（Pulsed Laser Deposition）是一種用途廣泛的薄膜沉積技術。脈沖激光快速蒸發靶材，生成與靶材組成相同的薄膜。PLD 的*之處是能量源（脈沖激光）位于真空室的外面。這樣，在材料合成時，工作壓力的動態范圍很寬，達到 10-10 Torr ~ 100 Torr。通過控制鍍膜壓力和溫度，可以合成一系列具有*功能的納米結構和納米顆粒。另外，PLD 是一種 “ 數字 ” 技術，在納米尺度上進行工藝控制（Å/pulse）。
Neocera Pioneer 系列 PLD 系統 — 基于經驗的創新設計
Neocera 利用 PLD 開展了深入廣泛的研究，建立了獲得薄膜質量的臨界參數，特別適用于沉積復雜氧化物薄膜。
這些思考已經應用于 Pioneer 系統的設計之中。
• 很多復雜氧化物薄膜在相對高的氧壓（>100 Torr）下冷卻可獲得更高的質量。所有 Pioneer 系統都具備此功能（壓力范圍可從額定初始壓強到大氣壓）。這也有益于納米粒子的生成。
• Pioneer PLD 系統的激光束入射角為 45°，保持了激光密度在靶材上的均勻性，同時避免使用復雜而昂貴的光學部件。更大的入射角能夠拉長靶材上的激光斑點，導致密度均勻性的損失。
• 為了避免使用昂貴的與氧氣兼容的真空泵，消除油的回流對薄膜質量的影響，所有 Pioneer 系統的標準配置都采用無油泵系統。
• 我們的研究表明靶和基片的距離是獲得薄膜質量的關鍵參數。Pioneer 系統采用可變的靶和基片的距離，對沉積條件進行的控制。
技術參數：
。作為完整 PLD 實驗室解決方案供應商，我們還可提供：248nm 激光器（準分子、固體等），激光氣體柜，激光。器和光學器件桌，以及光學器件等。
• 帶 * 的項目均可客戶化。
• 上述技術指標如有變更，恕不另行通知，詳情見具體報價描述或者咨詢銷售工程師。
離子輔助沉積 ( IBAD )
高性能的離子輔助沉積系統
離子輔助沉積已經成為在無規取向的基片或非晶襯底上沉積雙軸結構薄膜的一種重要技術。Neocera 開發了離子輔助的PLD 系統，該系統將 PLD 在沉積復雜材料方面的優勢與 IBAD 能力結合在一起。
無定形和多晶襯底上單個類單晶薄膜的沉積 離子輔助PLD沉積原理示意圖 結果和理論值吻合
連續組成擴展 ( CCS )
連續組成擴展功能（CCS）可在單次沉積中沉積很多不同組分的材料，大大縮短了沉積不同組分材料合成新材料的時間，實現合成材料組分的優化。PLD-CCS 系統能以連續的方式改變材料，沒有必要使用掩模。可以在每一次循環中，以小于一個單分子層的速率，快速連續沉積每一種組份，其結果是類似于共沉積法。該法無需在沉積后進行退火促進內部擴散或結晶，對于生長溫度是關鍵參數的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是非常有幫助的。Neocera 公司PLD 系統可在同一個系統上實現帶有連續組成擴展功能（CCS-PLD）和標準型 PLD 功能。
PLD-CCS 三元連續組分擴散 PLD 原理示意圖 三元模擬相圖 In-Sn-Zn 氧化物相圖解
激光分子束外延 ( Laser MBE )
激光 MBE 是普遍采用的術語，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 與在線工藝監測的反射高能電子衍射（RHEED）的聯合應用，用戶提供了類似于 MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。
正確的設計是成功使用 RHEED 和 PLD 的重要因數
RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環境下使用。然而，因為在某些特殊情況下，PLD 采用較高的壓力，差動抽氣是必要的，維持 RHEED 電子槍的工作壓力，同時保持 500 mTorr 的 PLD 工藝壓力。同時，設計完整的系統消除磁場對電子束的影響是至關重要的。Neocera 激光 MBE 系統可以添加客戶定制系統，比如超高真空激光襯底加熱器，用于集成原位分析系統（XPS/ARPERS 等）。樣品可以簡單地從激光 MBE/PLD 系統傳送到超高真空 XPS/ARPERS 系統。
激光 MEB 原理示意圖 激光 MBE 計算機上的 RHEED 圖案 RHEED 強度震蕩曲線
脈沖電子束沉積系統（PED）：PED-180
脈沖電子束沉積（Pulsed Electron Deposition）是高能脈沖 (100ns) 電子束 ( 約 1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近 1 um，使靶材快速蒸發形成等離子體。對靶材的非平衡提取（燒灼）使等離子體的組成與靶材的化學計量組成一致。在條件下，靶材的化學計量與沉積薄膜的保持一致。所有的固態材料如金屬、半導體和絕緣體等都可以用 PED 技術沉積各自的薄膜。
獨立的交鑰匙脈沖電子束沉積系統 PED
• 外延薄膜沉積，多層異質結構（heterostructures）與超晶格
• 氧化物薄膜沉積時氧氣兼容
• 升級選項：離子輔助 PED, 連續組份沉積 PED, 進樣系統 load-lock
• 可附加的沉積源：脈沖激光與射頻 / 直流濺射
• 集成 XPS/ARPES UHV 集群系統，原位高真空基片傳送系統
PED 沉積的代表性材料示例
• 高溫超導 (HTS) YBCO( 和 GdBCO) 薄膜
• 順電 (Ba-SrTiO3) 薄膜
• 金屬氧化物 (SrRuO3) 薄膜
• 隔熱 / 音玻璃 (SiO2) 膜和 Al2O3 膜
• 聚四氟乙烯 (PTFE) 薄膜
PED-180 系統的技術指標
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